co-ions
91formation de nitrure de silicium par faisceau d'ions — jonpluoštis silicio nitrido sudarymas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion beam nitridation vok. Siliziumnitriderzeugung durch Ionenstrahlung, f rus. ионно пучковое образование нитрида кремния, n pranc. formation de nitrure… …
92spectroscopie de diffusion des ions lents — lėtųjų jonų sklaidos spektroskopija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. slow ion scattering spectroscopy vok. Spektroskopie der Langsamionenstreuung, f rus. спектроскопия рассеяния медленных ионов, f pranc. spectroscopie de… …
93silicium à ions de bore implantés — boru implantuotas silicis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. boron implanted silicon vok. borimplantiertes Silizium, n rus. имплантированный бором кремний, m pranc. silicium à ions de bore implantés, m …
94densité de dopage des ions implantés d'impureté — implantuotųjų priemaišų jonų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity ion implantation density vok. implantierte Dotantenmenge, f rus. плотность имплантированных ионов примеси, f pranc. densité de dopage des ions… …
95décapage par faisceau d'ions réactifs — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m …
96faible implantation d'ions — silpnasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. light ion implantation vok. schwache Ionenimplantation, f rus. слабая ионная имплантация, f pranc. faible implantation d ions, f …
97faisceau d'ions réactifs — reaktyviųjų jonų pluoštas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam vok. reaktiver Ionenstahl, m rus. пучок химически активных ионов, m pranc. faisceau d ions réactifs, m …
98jonction implantée par ions — jonais implantuota sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted junction vok. ionenimplantierter Übergang, m rus. ионно имплантированный переход, m pranc. jonction implantée par ions, f …
99oxydation par faisceau d'ions réactifs — reaktyvusis jonpluoštis oksidavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam oxidation vok. reaktive Ionenstrahloxydation, f rus. реактивное ионно пучковое оксидирование, n pranc. oxydation par faisceau d ions… …
100chromatographie par échange d’ions — jonų mainų chromatografija statusas T sritis Standartizacija ir metrologija apibrėžtis Skysčių chromatografija, pagrįsta nevienodu įvairių tirpalo jonų gebėjimu pakeisti kolonėlės jonito jonus. atitikmenys: angl. ion exchange chromatography vok.… …